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La ventaja de la aplicación de los IGBT del módulo de energía solar fuera de la red del inversor Jul 14,2020

El inversor es el componente esencial en la fuera de la red de sistema de energía solar . Dentro de la red del inversor,el amplificador de potencia de la junta pueden utilizar dos tipos de electrones componentes. Un tipo es IGBT del MÓDULO y un tipo de MOSFET. ¿Sabe usted la diferencia entre ellos?

IGBT del MÓDULO es un sistema modular de semiconductores producto realizado por el IGBT(insulated gate bipolar transistor chip) y FWD(diodo chip) a través de circuito específico puente paquete. IGBT es un fondo de voltaje controlado impulsado por semiconductores de potencia dispositivo que consta de un BJT(Bipolar Transistor) y MOS(aislante Gate Transistor de efecto de campo), y que combina las ventajas de la alta impedancia de entrada en el MOSFET y baja caída de voltaje en GTR. El empaquetado de IGBT del módulo es utilizado directamente en el convertidor de frecuencia, variador,UPS, sistema de alimentación ininterrumpida y otros equipos. Características: tensión de ruptura de hasta 1200V, colector de máxima saturación de corriente que exceda los 1500A. La capacidad de los IGBT del inversor puede llegar a más de 250kVA y la frecuencia de trabajo puede llegar a 20kHz

MOSFET( Metal oxide Semiconductor field-effect Transistor) es un tipo de Transistor de efecto de campo que puede ser utilizado en circuitos analógicos y digitales en el centro de la tierra.La ventaja es buena estabilidad térmica y gran caja fuerte de la zona de trabajo;La desventaja es la baja tensión de ruptura y de baja corriente de trabajo.

IGBT跟MOSFET对比.jpg

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